投资公司：华灿光电股份有限公司
投资模式：独立投资
所属行业：电子元器件
投资地点：武汉市
投资金额：31641.58
投资时间：2020-04-03
本项目产品为中低压系列硅基增强型 p 型栅 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT），包括 100V、200V、600/650V 三个电压等级的多种型号，主要面向智能手机、汽车电子、数据中心等市场应用，具有高开关频率、高转换效率、高耐压强度的技术特性。本项目通过器件仿真设计、工艺制程开发、测试失效分析，建立 GaN 功率器件设计和工艺 IP 库。项目建成后，将建立 GaN 功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链，将产品开发、制造与市场需求紧密结合，通过更快的产品迭代和稳定的良品率，以具有相当市场竞争力的性价比，快速推进 GaN 功率器件的大规模产业化。本项目建设期三年，计划总投资额 31,641.58 万元，其中拟投入募投资金30,000.00 万元。本项目预计将帮助公司实现年均利润总额 4,247 万元。
